[发明专利]干刻蚀设备腔体气体侦测系统在审
申请号: | 201810322881.7 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108538741A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 李伟华 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N33/00 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀气体 腔体 体内 干刻蚀设备 侦测传感器 监控设备 侦测系统 安全系数 电性连接 方便作业 侦测 反馈 保证 | ||
1.一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,包括:腔体(10)、设于所述腔体(10)内的侦测传感器(20)以及设于所述腔体(10)外并与侦测传感器(20)电性连接的监控设备(30);所述腔体(10)内具有干刻蚀气体(11);
所述侦测传感器(20)用于侦测腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度,并反馈给监控设备(30);
所述监控设备(30)用于显示腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度。
2.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述腔体(10)的一端设有至少一个抽气孔(12);所述抽气孔(12)用于持续向腔体(10)外抽出位于腔体(10)内的干刻蚀气体(11)。
3.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述腔体(10)的另一端设有至少一个进气孔(13);所述进气孔(13)用于持续向腔体(10)内通入稀释气体(14)。
4.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述腔体(10)内还设有一包覆侦测传感器(20)的保护罩(21)。
5.如权利要求4所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述保护罩(21)的下方开设有侦测孔(22)。
6.如权利要求4所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述保护罩(21)的材料为蓝宝石玻璃。
7.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述干刻蚀气体(11)为氯气。
8.如权利要求3所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述稀释气体(14)为氮气。
9.如权利要求5所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述腔体(10)内设有一显示面板的下电极(15),所述干刻蚀气体(11)用于对下电极(15)进行干蚀刻。
10.如权利要求9所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统,其特征在于,所述保护罩(21)下方的侦测孔(22)与下电极(15)的上表面在同一水平面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810322881.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体锭的检查方法、检查装置和激光加工装置
- 下一篇:虚拟端子单元
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造