[发明专利]一种过渡金属硫族化合物纳米线及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810321869.4 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108545705A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 付英双;鲜晶晶;杨星;张文号 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种过渡金属硫族化合物纳米线及其制备方法与应用。制备方法为在真空条件下，保持金属、半金属或半导体衬底加热至250℃‑350℃，将过渡金属原子和硫族原子蒸镀到所述衬底上，制备过渡金属硫族化合物膜，将该过渡金属硫族化合物膜加热退火，制备得到过渡金属硫族化合物纳米线。本发明制备得到的纳米线形状规则，宽度一定，态密度均匀分布，不含杂质离子，且操作简单、制备效率高。可用于研究一维系统中的量子物理现象、纳米尺度电路中的导线和金属‑单原子层半导体接触等方面的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 过渡金属硫族化合物 纳米线 半导体 应用 过渡金属原子 纳米尺度电路 制备过渡金属 硫族化合物 金属 衬底加热 单原子层 加热退火 量子物理 密度均匀 形状规则 杂质离子 真空条件 半金属 衬底 可用 硫族 蒸镀 研究 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)在真空条件下，保持金属、半金属或半导体衬底加热至250℃‑350℃，将过渡金属原子和硫族原子蒸镀到所述衬底上，制备过渡金属硫族化合物膜；(2)在真空条件下，将步骤(1)所述的过渡金属硫族化合物膜加热退火，所述加热的温度为500℃‑700℃，加热的时间为15min‑40h，制备得到过渡金属硫族化合物纳米线。
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