[发明专利]一种过渡金属硫族化合物纳米线及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

(1)在真空条件下，保持金属、半金属或半导体衬底加热至250℃-350℃，将过渡金属原子和硫族原子蒸镀到所述衬底上，制备过渡金属硫族化合物膜；

(2)在真空条件下，将步骤(1)所述的过渡金属硫族化合物膜加热退火，所述加热的温度为500℃-700℃，加热的时间为15min-40h，制备得到过渡金属硫族化合物纳米线。

2.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)和步骤(2)之间还包括将衬底加热至400℃-500℃，以促进过渡金属硫族化合物膜结晶，并除去过渡金属硫族化合物膜表面未蒸镀至衬底上的硫族原子。

3.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述加热的时间为1.75h-40h。

4.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的过渡金属原子为钼原子、钨原子或钒原子；步骤(1)所述的硫族原子为硒原子、碲原子或硫原子。

5.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述衬底为将SiC基底加热得到的石墨烯膜。

6.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)所述加热的方式为采用直流源在恒压模式或恒流模式下加热。

7.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)所述的真空条件为5×10^-10tor-5×10^-9tor。

8.如权利要求1所述的过渡金属硫族化合物纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述蒸镀的时间为8min-12min；步骤(1)所述过渡金属原子与硫族原子的束流比为1：(10-20)。

9.由权利要求1-8任一所述方法制备得到的过渡金属硫族化合物纳米线。

10.如权利要求9所述的过渡金属硫族化合物纳米线用于研究一维量子物理现象、研究纳米尺度电路中的导线或研究金属与单原子层半导体接触方面的应用。