[发明专利]一种消除铝垫与显影液反应缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种消除铝垫与显影液反应缺陷的方法，应用于CMOS图像传感器的铝垫制备工艺，其中，提供一半导体基底，于半导体基底上进行以下步骤：于半导体基底表面淀积一氧化层；于氧化层中一预定位置形成一凹槽结构；于凹槽结构底部形成接触孔；于氧化层上方覆盖一刻蚀阻挡层，于接触孔内填充刻蚀阻挡层；于刻蚀阻挡层表面形成一铝金属层；于铝金属层表面形成一光刻胶层；对光刻胶层进行曝光；使用一预定溶液对曝光后的光刻胶层进行显影，形成工艺窗口；对铝金属层和刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成铝垫；有益效果：在不增加层数，保持现有流程时间的前提下，优化了显影工艺，防止了缺陷的产生。同时，还能提高良率，防止产品报废。

主权项

1.一种消除铝垫与显影液反应缺陷的方法，应用于CMOS图像传感器的铝垫制备工艺，其特征在于，提供一半导体基底，于所述半导体基底上进行以下步骤：步骤S1，于所述半导体基底表面淀积一氧化层；步骤S2，于所述氧化层中一第一预定位置形成一凹槽结构；步骤S3，于所述凹槽结构底部形成接触孔；步骤S4，于所述氧化层上方、所述凹槽结构的底部、所述凹槽结构的侧壁覆盖一刻蚀阻挡层，于所述接触孔内填充所述刻蚀阻挡层；步骤S5，于所述刻蚀阻挡层表面形成一铝金属层；步骤S6，于所述铝金属层表面形成一第一光刻胶层；步骤S7，对所述第一光刻胶层进行曝光；步骤S8，使用一预定溶液对曝光后的所述第一光刻胶层进行显影，形成第一工艺窗口；步骤S9，以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述铝金属层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，去除所述氧化层表面和所述凹槽结构侧壁上的所述铝金属层、所述刻蚀阻挡层和所述接触孔上方的铝金属层，形成铝垫。