[发明专利]一种消除铝垫与显影液反应缺陷的方法

权利要求书

1.一种消除铝垫与显影液反应缺陷的方法，应用于CMOS图像传感器的铝垫制备工艺，其特征在于，提供一半导体基底，于所述半导体基底上进行以下步骤：

步骤S1，于所述半导体基底表面淀积一氧化层；

步骤S2，于所述氧化层中一第一预定位置形成一凹槽结构；

步骤S3，于所述凹槽结构底部形成接触孔；

步骤S4，于所述氧化层上方、所述凹槽结构的底部、所述凹槽结构的侧壁覆盖一刻蚀阻挡层，于所述接触孔内填充所述刻蚀阻挡层；

步骤S5，于所述刻蚀阻挡层表面形成一铝金属层；

步骤S6，于所述铝金属层表面形成一第一光刻胶层；

步骤S7，对所述第一光刻胶层进行曝光；

步骤S8，使用一预定溶液对曝光后的所述第一光刻胶层进行显影，形成第一工艺窗口；

步骤S9，以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述铝金属层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，去除所述氧化层表面和所述凹槽结构侧壁上的所述铝金属层、所述刻蚀阻挡层和所述接触孔上方的铝金属层，形成铝垫；

所述预定溶液为中性溶液，具体为能够溶解未曝光的光刻胶的脂类或者酮类物质。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为一氮化钽层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中形成所述凹槽结构的步骤包括：

步骤S21，于所述氧化层上形成一第二光刻胶层，图案化所述第二光刻胶层，于待形成所述凹槽结构的位置形成第二工艺窗口；

步骤S22，以所述第二光刻胶层为掩膜对所述氧化层进行刻蚀，形成所述凹槽结构；

步骤S23，去除所述第二光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中，形成所述接触孔的步骤包括：

步骤S31，于所述氧化层表面形成一第三光刻胶层；

步骤S32，图案化所述第三光刻胶层，于所述凹槽结构的接触孔形成区形成第三工艺窗口；

步骤S33，以所述第三光刻胶层为掩膜对所述氧化层进行刻蚀，形成所述接触孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述步骤S9后去除所述第一光刻胶层和所述阻挡层。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度为20K～30K埃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的关键尺寸大于1μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底为硅基底。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述步骤S9的刻蚀中同步去除所述第一光刻胶层，并在刻蚀结束时使所述第一光刻胶层被完全去除。