[发明专利]SiC晶片的生成方法

摘要

本发明提供一种SiC晶片的生成方法，其能够更经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对晶锭(2)具有透过性的波长的脉冲激光光线LB的聚光点FP定位在距离晶锭(2)的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射脉冲激光光线LB，形成剥离层(26)；晶片的剥离工序，以剥离层(26)作为起点，将要生成的SiC晶片(40)从晶锭(2)剥离；以及平坦面精整工序，对剥离SiC晶片(40)后的晶锭(2)的上表面(42)进行磨削，除去凹凸，精整成平坦面。平坦面精整工序包括：第一磨削步骤，对晶锭(2)的上表面(42)进行粗磨削，有残留地不完全除去凹凸；以及第二磨削步骤，对晶锭(2)的上表面(42)进行精磨削，除去残留的凹凸，精加工成平坦面。

主权项

1.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：剥离层形成工序，将对单晶SiC晶锭具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，形成剥离层；晶片的剥离工序，以该剥离层作为起点，将要生成的SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离；以及平坦面精整工序，对剥离SiC晶片后的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削，除去凹凸，精整成平坦面，该平坦面精整工序包括下述步骤：第一磨削步骤，对单晶SiC晶锭的上表面进行粗磨削，有残留地不完全除去凹凸；以及第二磨削步骤，在实施第一磨削步骤之后，对单晶SiC晶锭的上表面进行精磨削，除去残留的凹凸，精加工成平坦面。