[发明专利]SiC晶片的生成方法

说明书

本发明提供一种SiC晶片的生成方法，其能够更经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对晶锭(2)具有透过性的波长的脉冲激光光线LB的聚光点FP定位在距离晶锭(2)的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射脉冲激光光线LB，形成剥离层(26)；晶片的剥离工序，以剥离层(26)作为起点，将要生成的SiC晶片(40)从晶锭(2)剥离；以及平坦面精整工序，对剥离SiC晶片(40)后的晶锭(2)的上表面(42)进行磨削，除去凹凸，精整成平坦面。平坦面精整工序包括：第一磨削步骤，对晶锭(2)的上表面(42)进行粗磨削，有残留地不完全除去凹凸；以及第二磨削步骤，对晶锭(2)的上表面(42)进行精磨削，除去残留的凹凸，精加工成平坦面。

技术领域

本发明涉及一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。

背景技术

IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al₂O₃(蓝宝石)等为材料的晶片的表面层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为材料的晶片的表面层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片利用切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。

形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的表面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如参见专利文献1)。但是，在利用划片锯切断晶锭并对切断得到的晶片的表面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其硬度高，难以利用划片锯切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。

因此，提出了下述技术：将对单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部来对单晶SiC晶锭照射激光光线，在切断预定面形成改质层，沿着形成有改质层的切断预定面将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离(例如参见专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-94221号公报

专利文献2：日本特开2013-49161号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在将晶片从晶锭剥离时，晶锭的剥离面变凹凸，为了将激光光线的聚光点定位在适当的位置来生成下一个晶片，以超过凹凸的高度对剥离面进行磨削，精加工成平坦面，从而产生不经济的新问题。

由此，本发明的目的在于提供一种SiC晶片的生成方法，其能够更经济地从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。

用于解决课题的手段

根据本发明，提供一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：剥离层形成工序，将对单晶SiC晶锭具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，形成剥离层；晶片的剥离工序，以该剥离层作为起点，将要生成的SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离；以及平坦面精整工序，对剥离SiC晶片后的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削，除去凹凸，精整成平坦面，该平坦面精整工序包括下述步骤：第一磨削步骤，对单晶SiC晶锭的上表面进行粗磨削，有残留地不完全除去凹凸；以及第二磨削步骤，在实施第一磨削步骤之后，对单晶SiC晶锭的上表面进行精磨削，除去残留的凹凸，精加工成平坦面。