[发明专利]一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法在审
申请号: | 201810315222.0 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108615810A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 孙柏;毛双锁;朱守辉;雷鸣;赵勇 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 610031 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法,包括以下步骤:S1:以植物的干燥果皮、根、茎或叶中的至少一种为原料,采用分离法获得植物粉末;S2:将步骤S1获得植物粉末溶解于N‑甲基吡咯烷,制成胶体;S3:将步骤S2获得的胶体在导电基片的导电面制成薄膜作为介电层,将带有介电层的导电基片进行干燥处理;S4:经步骤S3处理后,在介电层表面沉积上电极,获得具有上电极/植物粉末/基片结构的忆阻器件,所述忆阻器件为室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高,适合工业化大规模生产,值得在业内推广。 | ||
搜索关键词: | 制备 电容效应 植物粉末 导电基片 介电层 电极 沉积 薄膜 甲基吡咯烷 介电层表面 干燥处理 干燥果皮 厚度均匀 基片结构 导电面 分离法 可控 溶解 | ||
【主权项】:
1.一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法,包括如下步骤:S1:制备植物粉末:以植物的果皮、根、茎或叶中的至少一种为原料,采用分离法获得粒径为1~3μm的植物粉末,所述植物粉末的碳含量为60~70%,氧含量为30~40%;S2:制备胶体:将步骤S1获得植物粉末溶解于N‑甲基吡咯烷,制成胶体;S3:制备介电层:将步骤S2获得的胶体在导电基片的导电面制成薄膜作为介电层,将带有介电层的导电基片进行干燥处理;S4:沉积上电极:经步骤S3处理后,在介电层表面沉积上电极,获得具有上电极/植物粉末/基片结构的忆阻器件,所述忆阻器件为室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件。
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