[发明专利]一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法在审
| 申请号： | 201810315222.0 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108615810A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 孙柏;毛双锁;朱守辉;雷鸣;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 电容效应 植物粉末 导电基片 介电层 电极 沉积 薄膜 甲基吡咯烷 介电层表面 干燥处理 干燥果皮 厚度均匀 基片结构 导电面 分离法 可控 溶解 | ||
1.一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，包括如下步骤：
S1：制备植物粉末：以植物的果皮、根、茎或叶中的至少一种为原料，采用分离法获得粒径为1～3μm的植物粉末，所述植物粉末的碳含量为60～70％，氧含量为30～40％；
S2：制备胶体：将步骤S1获得植物粉末溶解于N-甲基吡咯烷，制成胶体；
S3：制备介电层：将步骤S2获得的胶体在导电基片的导电面制成薄膜作为介电层，将带有介电层的导电基片进行干燥处理；
S4：沉积上电极：经步骤S3处理后，在介电层表面沉积上电极，获得具有上电极/植物粉末/基片结构的忆阻器件，所述忆阻器件为室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件。
2.根据权利要求1所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中的植物粉末为核桃皮粉末。
3.根据权利要求1所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，分离法具体步骤为：将原料依次用去离子水、酒精及去离子水清洗后，放置于容器中并干燥至恒重，取出干燥后的原料进行粉碎、研磨，再分撒在酒精中，抽滤后将滤物进行二次干燥，获得粒径为1～3μm的植物粉末。
4.根据权利要求1所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，干燥处理的条件为：在温度25～35℃的干燥箱中，干燥时间45～50小时。
5.根据权利要求1所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，利用旋涂法将步骤S3获得的胶体在导电基片导电面旋涂成薄膜。
6.根据权利要求1或5所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述薄膜厚度为25～30μm。
7.根据权利要求1所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，采用真空沉积法在介电层表面沉积上电极。
8.根据权利要求1或7所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述上电极采用银、钛或铜中一种。
9.根据权利要求1所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述导电基片采用具有导电薄膜的平整玻璃或石英基底。
10.根据权利要求1所述的室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，其特征在于：所述导电基片为氧化铟锡透明导电玻璃。
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