[发明专利]一种基于GaN-LED二次外延ITO的人字形波脊结构的SLD器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810313179.4 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615796B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘立林;刘攀 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林丽明<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种基于GaN‑LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其中，包括蓝宝石衬底和依次设在蓝宝石衬底上的u‑GaN缓冲层、Al‑GaN层、n‑GaN层，n‑GaN层上设有第一台阶结构和第二台阶结构，第一台阶结构包括设在n‑GaN层上的第一绝缘层，第一绝缘层上设有与n‑GaN层连接的第一金属电极；第二台阶结构包括依次设在n‑GaN层上的InGaN/GaN量子阱有源层、p‑GaN层和第二绝缘层，第二绝缘层和p‑GaN层之间设有与p‑GaN层连接的“人”字形ITO波脊结构，“人”字形ITO波脊结构的“人”字形上部设有欧姆接触金属层，第二绝缘层上与欧姆接触金属层对应的位置设有与欧姆接触金属层连接的第二金属电极。本发明还提供上述SLD器件的制备方法。本发明能够提高器件对光的限制效果，降低器件的光学反馈，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 台阶结构 波脊 欧姆接触金属层 蓝宝石 金属电极 衬底 制备 量子阱有源层 光学反馈 降低器件 人字形 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，包括蓝宝石衬底(1)和依次设在所述蓝宝石衬底(1)上的u-GaN缓冲层(2)、Al-GaN层(3)、n-GaN层(4)，所述n-GaN层(4)上设有第一台阶结构和第二台阶结构，所述第一台阶结构包括设在所述n-GaN层(4)上的第一绝缘层(5)，所述第一绝缘层(5)上设有与所述n-GaN层(4)连接的第一金属电极(6)；所述第二台阶结构包括依次设在所述n-GaN层(4)上的InGaN/GaN量子阱有源层(7)、p-GaN层(8)和第二绝缘层(9)，所述第二绝缘层(9)和p-GaN层(8)之间设有与所述p-GaN层(8)连接的“人”字形ITO波脊结构(10)，所述“人”字形ITO波脊结构(10)的“人”字形上部设有欧姆接触金属层(11)，所述第二绝缘层(9)上与所述欧姆接触金属层(11)对应的位置设有与所述欧姆接触金属层(11)连接的第二金属电极(12)。/n
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