[发明专利]一种基于GaN-LED二次外延ITO的人字形波脊结构的SLD器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810313179.4 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615796B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘立林;刘攀 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林丽明<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 台阶结构 波脊 欧姆接触金属层 蓝宝石 金属电极 衬底 制备 量子阱有源层 光学反馈 降低器件 人字形 | ||
1.一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，包括蓝宝石衬底(1)和依次设在所述蓝宝石衬底(1)上的u-GaN缓冲层(2)、Al-GaN层(3)、n-GaN层(4)，所述n-GaN层(4)上设有第一台阶结构和第二台阶结构，所述第一台阶结构包括设在所述n-GaN层(4)上的第一绝缘层(5)，所述第一绝缘层(5)上设有与所述n-GaN层(4)连接的第一金属电极(6)；所述第二台阶结构包括依次设在所述n-GaN层(4)上的InGaN/GaN量子阱有源层(7)、p-GaN层(8)和第二绝缘层(9)，所述第二绝缘层(9)和p-GaN层(8)之间设有与所述p-GaN层(8)连接的“人”字形ITO波脊结构(10)，所述“人”字形ITO波脊结构(10)的“人”字形上部设有欧姆接触金属层(11)，所述第二绝缘层(9)上与所述欧姆接触金属层(11)对应的位置设有与所述欧姆接触金属层(11)连接的第二金属电极(12)。
2.根据权利要求1所述的一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，所述蓝宝石衬底(1)上的u-GaN缓冲层(2)、Al-GaN层(3)和n-GaN层(4)，以及n-GaN层(4)上的InGaN/GaN量子阱有源层(7)和p-GaN层(8)均是通过外延生长依次形成的。
3.根据权利要求1所述的一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，所述第二绝缘层(9)和p-GaN层(8)之间的“人”字形ITO波脊结构(10)是通过MOCVD生长后经腐蚀后形成的。
4.根据权利要求1或3所述的一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，所述“人”字形ITO波脊结构(10)的厚度为80nm，且所述“人”字形ITO波脊结构(10)是通过MOCVD生长后经王水腐蚀后形成的。
5.根据权利要求1所述的一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，所述欧姆接触金属层(11)通过金属层沉积形成，所述沉积的欧姆接触金属层(11)包括Ni金属层和Au金属层，沉积的厚度分别为5nm和7nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，所述第一金属电极(6)和第二金属电极(12)是通过分别在第一绝缘层(5)和第二绝缘层(9)对应的位置腐蚀开窗口，并在所述窗口中蒸镀电极金属接触层形成，蒸镀的电极金属接触层包括Cr金属层、Pd金属层和Au金属层，它们蒸镀的厚度分别为20nm，40nm和200nm。
7.根据权利要求1或6所述的一种基于GaN-LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其特征在于，所述第一绝缘层(5)和第二绝缘层(9)为SiO2绝缘层，所述第一绝缘层(5)和第二绝缘层(9)对应的位置腐蚀开窗口，是通过BOE来进行腐蚀的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810313179.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
