[发明专利]显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810309597.6 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108389941A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 魏同波;赵捷;魏学成;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法，该器件包括：衬底；第一外延层；具有n个阵列排列的微/纳米孔洞的SiO2层，位于所述第一外延层的上方；n个含InGaN/GaN量子阱的三维六角梯形结构，位于各微/纳米孔洞上方；以及量子点区域，位于每两个三维六角梯形结构之间。本发明结合量子阱和量子点所形成的发光源，既能避免荧光粉所带来的缺陷，又可以充分利用量子阱与量子点结合所具有的优势，提高发光效率。通过调节量子阱中In的组分可以使所得到的三维六角梯形结构的侧面发射蓝光，上表面发射比蓝光波长长的绿和/或黄光，同时也可改变间隙中混合量子点的配比，从而调节其发光波长与强度，实现高显色性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 量子阱 荧光粉 梯形结构 六角 单芯片白光LED 三维 纳米孔洞 可调的 外延层 制备 发光波长 发光效率 阵列排列 光波 发光源 发射比 高显色 可改变 上表面 衬底 黄光 蓝光 配比 侧面 发射 | ||
【主权项】：
1.一种显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件，包括：衬底；第一外延层；具有n个阵列排列的微/纳米孔洞的SiO2层，位于所述第一外延层上方，n为大于1的正整数；n个含InGaN/GaN量子阱的三维六角梯形结构，位于各微/纳米孔洞上方；以及量子点区域，位于每两个三维六角梯形结构之间；其中，所述InGaN/GaN量子阱与所述量子点区域形成发光源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810309597.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管及其制造方法
- 下一篇：发光装置及其制造方法
