[发明专利]用于用RF产生器操作以控制等离子体工艺的阻抗匹配电路有效
| 申请号： | 201810309554.8 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108682610B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·马拉霍塔诺夫;菲力克斯·科扎克维奇;约翰·帕特里克·霍兰德;布雷特·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;陈丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于用RF产生器操作以控制等离子体工艺的阻抗匹配电路，描述了一种阻抗匹配电路(IMC)。所述阻抗匹配电路包括第一电路。第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)产生器的输入。IMC包括第二电路。所述第二电路具有耦合到低频兆赫(MHz)RF产生器的输入。IMC包括第三电路。所述第三电路具有耦合到高频MHz RF产生器的输入。IMC包括第一、第二和第三电路的耦合到RF传输线的输入的输出。第一电路和第二电路提供通过第一电路发送的kHz RF信号和通过第二电路发送的低频MHz RF信号之间的隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 rf 产生器 操作 控制 等离子体 工艺 阻抗匹配 电路 | ||
【主权项】：
1.一种阻抗匹配电路，包括：第一电路，其包括第一多个串联电路和第一多个分流电路，所述第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)发生器的输入；具有第二多个串联电路和第二多个分流电路的第二电路，所述第二电路具有耦合到低频兆赫兹(MHz)RF发生器的输入，所述第二电路与所述第一电路相邻；具有一个或多个串联电路和一个或多个分流电路的第三电路，所述第三电路具有耦合到高频MHzRF发生器的输入，所述第三电路与所述第二电路相邻；所述第一，第二和第三电路的输出耦合到RF传输线的输入，所述RF传输线耦合到等离子体室，其中所述第一电路和所述第二电路提供通过所述第一电路传输的kHzRF信号与通过所述第二电路传输的低频MHz RF信号之间的隔离，其中，与第三电路的调谐元件的数量相比，第一电路的增加数量的调谐元件提供kHz RF信号和低频MHz RF信号之间的隔离。
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