[发明专利]用于用RF产生器操作以控制等离子体工艺的阻抗匹配电路

权利要求书

1.一种阻抗匹配电路，包括：

第一电路，其包括第一多个串联电路和第一多个分流电路，所述第一电路配置为经由第一输入耦合到kHzRF发生器；

具有第二多个串联电路和第二多个分流电路的第二电路，所述第二电路配置为经由第二输入耦合到低频MHzRF发生器，所述第二电路与所述第一电路相邻；

具有一个或多个串联电路和一个或多个分流电路的第三电路，所述第三电路配置为经由第三输入耦合到高频MHzRF发生器，所述第三电路与所述第二电路相邻；

所述第一，第二和第三电路的输出配置为耦合到RF传输线的输入，所述RF传输线耦合到等离子体室，

其中所述第一电路和所述第二电路提供通过所述第一电路传输的kHzRF信号与通过所述第二电路传输的低频MHz RF信号之间的隔离，其中，在所述kHz RF信号和所述低频MHzRF信号之间提供隔离的第一电路的调谐元件的第一数量大于第三电路的调谐元件的第二数量，其中当第三数量的调谐元件经由所述第一输入耦合到所述低频MHz RF发生器时，所述第一电路的调谐元件的第一数量大于调谐元件的第三数量。

2.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中，与第三电路的调谐元件的第二数量相比，第二电路的增加数量的调谐元件提供kHz RF信号与低频MHz RF信号之间的隔离。

3.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中每个所述第一电路的调谐元件包括电感器或电容器。

4.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述kHz RF信号经由所述RF传输线和所述第一电路从所述等离子体室朝向所述kHz RF发生器反射，其中所述低频MHz RF信号经由所述RF传输线和所述第二电路从所述等离子体室朝向低频MHz RF发生器反射。

5.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述kHz射频发生器具有范围在20kHz和1MHz之间的频率，其中所述低频MHzRF发生器具有范围在1MHz和4MHz之间的频率，并且所述高频RF发生器具有范围在13MHz和200MHz之间的频率。

6.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中所述等离子体室包括上电极，所述上电极包括半导体层，布置在所述半导体层的顶部上的气体分配板，布置在所述气体分配板的顶部上的加热器，放置在加热器顶部的热壅塞，以及放置在所述热壅塞顶部的顶板，其中所述上电极不包括绝缘层。

7.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，

其中所述第一电路被配置为传送具有最大功率电平的kHz RF信号，并且所述第二电路被配置为传送具有最小功率电平的低频MHz RF信号以在所述RF传输线处实现第一正电势电平并且在所述RF传输线处实现第一负电势电平，

其中所述第一电路被配置为传送具有最小功率电平的kHz RF信号，并且第二电路被配置成传送具有最大功率电平的低频MHz RF信号以在所述RF传输线处实现第二正电势电平并且在所述RF传输线处实现第二负电势电平，

其中所述第一电路被配置为传送具有在最小和最大功率电平之间的电平的kHz RF信号，并且所述第二电路被配置为传送具有在最小和最大功率电平之间的电平的低频MHz RF信号以在所述RF传输线处实现第三正电势电平并在所述RF传输线处实现第三负电势电平，其中所述第三正电势电平大于第一和第二正电势电平中的每一个，第三负电势电平小于第一和第二负电势电平中的每一个。

8.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中，所述第二电路的调谐元件的数量大于耦合到所述高频MHz RF发生器并且未耦合到所述kHz射频发生器的阻抗匹配电路的电路的调谐元件的数量。