[发明专利]垂直存储器中的浮动栅极存储器单元

摘要

本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

主权项

1.一种形成存储器单元的方法，其包括：在垂直隔开的第一电介质层和第二电介质层之间形成控制栅极层；形成延伸穿过所述第一电介质层和所述第二电介质层的开口；在所述控制栅层中形成凹部，所述凹部至少部分地围绕所述开口延伸；在所述凹槽内且邻近于所述控制栅极形成电荷阻挡结构，其中所述电荷阻挡结构包括电介质材料和阻挡材料；及在所述凹槽内且在所述电荷阻挡结构的与所述控制栅极相对的侧上形成浮置栅极，其中所述浮置栅极的第一部分接触所述第一电介质层和第二电介质层中的每一者接触；其中所述阻挡材料的基本垂直部分位于所述控制栅极与所述浮置栅极之间；及其中所述电荷阻挡结构的第一基本水平部分在所述第一电介质材料层与所述浮置栅极的第二部分之间横向地延伸，且其中所述电荷阻挡结构的第二基本水平部分在所述第二层电介质材料层和所述浮动栅极的第二部分之间横向地延伸。