[发明专利]垂直存储器中的浮动栅极存储器单元

权利要求书

1.一种形成存储器单元的方法，其包括：

在垂直隔开的第一电介质层和第二电介质层之间形成控制栅极层；

形成延伸穿过所述第一电介质层和所述第二电介质层的开口；

在所述控制栅极层中形成凹部以限定控制栅极，所述凹部至少部分地围绕所述开口延伸；

在所述凹部内且邻近于所述控制栅极形成电荷阻挡结构，其中所述电荷阻挡结构包括电介质材料和阻挡材料；及

在所述凹部内且在所述电荷阻挡结构的与所述控制栅极相对的侧上形成浮动栅极，其中所述浮动栅极的第一部分接触所述第一电介质层和第二电介质层中的每一者接触；

其中所述阻挡材料的基本垂直部分位于所述控制栅极与所述浮动栅极之间；及

其中所述电荷阻挡结构的第一基本水平部分在所述第一电介质层与所述浮动栅极的第二部分之间横向地延伸，且其中所述电荷阻挡结构的第二基本水平部分在所述第二电介质层和所述浮动栅极的第二部分之间横向地延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述浮动栅极的所述第二部分包括从所述浮动栅极的所述第一部分并沿着所述控制栅极的方向上延伸的突出部，所述突出部具有比所述浮动栅极的所述第一部分小的垂直尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述电荷阻挡结构的所述基本垂直部分的厚度大于所述电荷阻挡结构的所述第一基本水平部分的厚度，且大于所述电荷阻挡结构的所述第二基本水平部分的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层之间的所述浮动栅极的垂直尺寸基本上等于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间的所述控制栅极的垂直尺寸。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述阻挡材料包括氮化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电荷阻挡结构包括第一氧化物层和第二氧化物层。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述电荷阻挡结构包括接触所述控制栅极的第一氧化物和接触所述浮动栅极的第二氧化物，且其中所述阻挡材料位于所述第一氧化物和所述第二氧化物之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二氧化物将所述氮化物层与所述浮动栅极的所述突出部完全分隔开。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述浮动栅极与所述阻挡材料和所述第二氧化物接触。

11.根据权利要求8所述的方法，其中包覆所述突出部的所述电荷阻挡结构的所述部分包括所述阻挡材料的一部分。