[发明专利]半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法在审
| 申请号： | 201810306537.9 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108682609A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 范银波 | 申请（专利权）人： | 苏州珮凯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 | 代理人： | 马广旭 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法，包括如下步骤：1)将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟；2)采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍；3)然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗；4)以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸；5)送入烘箱，将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟，烘干完成后，在无尘室内冷却至室温，完成对所述陶瓷聚焦环的再生。所述再生方法不采用任何化学试剂，通过高温烘烤，即可去除陶瓷聚焦环表面的附着物，实现对陶瓷聚焦环的清洗、再生，再生成本低、节能环保，对环境友好、无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦环 陶瓷 再生 工艺陶瓷 晶圆 制程 半导体 清洗 附着物 烘箱 金属 表面污渍 高温烘烤 高温熏蒸 高温蒸汽 高压喷淋 化学试剂 环境友好 节能环保 清洗用水 再生成本 刮除件 烘烤 刮除 烘干 去除 无尘 浸泡 冷却 送入 室内 | ||
【主权项】：
1.一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)取陶瓷聚焦环，放置于清洗槽内，清洗槽内装有清洗用水，将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟；2)取出陶瓷聚焦环，用清洗布擦干表面水渍，并采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍；3)将陶瓷聚焦环送入超声波清洗剂，进行超声波清洗，然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗；4)将高压喷淋清洗后的陶瓷聚焦环送入温蒸箱，以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸，熏蒸时长20~30分钟；5)将高温熏蒸后的陶瓷聚焦环送入烘箱，设置烘箱温度1000~1100℃，将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟，使得陶瓷聚焦环表面有机物灰化、脱落，烘干完成后，在无尘室内冷却至室温，完成对所述陶瓷聚焦环的再生。
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