[发明专利]半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法

说明书

本发明公开了一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法，包括如下步骤：1)将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟；2)采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍；3)然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗；4)以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸；5)送入烘箱，将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟，烘干完成后，在无尘室内冷却至室温，完成对所述陶瓷聚焦环的再生。所述再生方法不采用任何化学试剂，通过高温烘烤，即可去除陶瓷聚焦环表面的附着物，实现对陶瓷聚焦环的清洗、再生，再生成本低、节能环保，对环境友好、无污染。

技术领域

本发明属于陶瓷聚焦环再生技术领域，具体的，涉及一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法。

背景技术

晶元（Wafer），是生产集成电路所用的载体，多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制得多晶硅，多晶硅再经熔融、单晶晶核提拉制成具有一定晶体学取向的单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶元。晶元是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等。晶元越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本，但对材料技术和生产技术的要求更高。

对于计算机产品而言，芯片可以说是其精髓所在，毕竟芯片的等级也就决定了产品的性能表现以及功耗、发热量等额外因素，作为芯片的前身，晶圆的品质和制程就成为消费者以及厂商所共同关心的。

晶圆制程过程中，包括金属DPS工艺，基于半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺生产的陶瓷聚焦环，即是其中有一项重要产品，近年来，由于产能跟不上需求量的增长速度，使得陶瓷聚焦环的再生和重复利用，逐渐引发人们的关注。

陶瓷聚焦环的材质以陶瓷为主，对于陶瓷的清洗、再生，目前国内主要存在如下专利文献：

中国专利公开号：107639072A，公开了一种陶瓷清洗方法，包括以下步骤：除胶：采用加热至65±5℃的有机碱性洗剂进行超声波清洗；清除油污、脏污后喷淋：用加热至60-85℃、质量分数为3-10％水基环保清洗剂进行超声波清洗，然后用常温去离子水进行喷淋；纯水超声波清洗：用65±5℃的去离子水进行超声波清洗；脱水烘干：用70±5℃的去离子水对陶瓷产品进行浸泡加热再脱水；使用温度在100±10℃的空气对产品表面进行烘干。本发明采用有机碱性洗剂进行除胶、除油污以及脏污，取代传统强酸性、强碱性、强腐蚀性洗剂的使用，通过逐个不良除去以及多次喷淋清洗，减少洗剂之间的交叉污染，同时保证了陶瓷产品表面的清洗效果。然而，该专利所提供的清洗方法，会采用各种化学清洗试剂对陶瓷进行清洗、再生，过多化学试剂的使用，会对环境造成难以逆转的污染。

发明内容

为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法，所述再生方法不采用任何化学试剂，通过高温烘烤，即可去除陶瓷聚焦环表面的附着物，实现对陶瓷聚焦环的清洗、再生，再生成本低、节能环保，对环境友好、无污染。

为达到上述目的，本发明的技术方案是：

一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法所述方法包括如下步骤：

1)取陶瓷聚焦环，放置于清洗槽内，清洗槽内装有清洗用水，将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟；

2)取出陶瓷聚焦环，用清洗布擦干表面水渍，并采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍；

3)将陶瓷聚焦环送入超声波清洗剂，进行超声波清洗，然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗；

4)将高压喷淋清洗后的陶瓷聚焦环送入温蒸箱，以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸，熏蒸时长20~30分钟；