[发明专利]一种方形复合式壳型电极半导体探测器的制备方法有效
| 申请号： | 201810299198.6 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108511554B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李正;刘曼文 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 43210 长沙新裕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周跃仁 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方形复合式壳型电极半导体探测器的制备方法，步骤为：一、在半导体晶圆片正面激光刻蚀三维沟槽，沟槽之间留下硅片缝隙，在长好一定厚度的氧化保护层F的晶圆片D正面激光刻蚀厚度为d | ||
| 搜索关键词： | 电极 硅体 激光刻蚀 中央柱 半导体探测器 三维 复合式 沟槽壁 晶圆片 斜纹状 硅片 壳型 刻蚀 制备 激光 半导体晶圆片 氧化保护层 镀金属层 硅晶圆片 金属填充 扩散掺杂 抛光技术 多晶硅 硼扩散 深刻蚀 填充 掺杂 平整 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种方形复合式壳型电极半导体探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、在长有氧化保护层F的硅半导体晶圆片正面激光刻蚀厚度为d
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810299198.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
