[发明专利]一种方形复合式壳型电极半导体探测器的制备方法

权利要求书

1.一种方形复合式壳型电极半导体探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在长有氧化保护层F的硅半导体晶圆片正面激光刻蚀厚度为d_top的沟槽A，沟槽A之间留有一定宽度的斜纹状硅体B；其中，斜纹状硅体B是半导体晶圆片被刻蚀后留下的硅体；所述氧化保护层F为二氧化硅层；

步骤二、在长有二氧化硅的硅半导体晶圆片反面激光刻蚀厚度为d_bottom的沟槽E，其中d_bottom大于等于90％的硅半导体晶圆片厚度d；硅半导体晶圆片反面激光刻蚀沟槽E后没有留下斜纹状硅体；

步骤三、利用抛光技术将硅半导体晶圆片的沟槽A和沟槽E的沟槽壁处理平整；

步骤四、沿硅半导体晶圆片的沟槽A和沟槽E的沟槽壁进行硼扩散掺杂，掺杂厚度为1微米；

步骤五、填充沟槽A和沟槽E：采用多晶硅填充沟槽A和沟槽E；沟槽A填充后形成沟槽电极A’，沟槽E填充后形成沟槽电极E’；

步骤六、硅半导体晶圆片正面激光深刻蚀中央柱状电极C：刻蚀厚度为整块硅半导体晶圆片的厚度d，刻蚀宽度为10微米；

步骤七、用多晶硅填充中央柱状电极C；

步骤八、给所有的电极镀金属层：硅半导体晶圆片正面为金属层K，硅半导体晶圆片反面为金属层L。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一中，所述沟槽A宽度为10微米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤六中，所述中央柱状电极C为方形。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在恒温恒湿百级洁净室中操作完成。