[发明专利]一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法

摘要

本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ‑In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ‑In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。

主权项

1.一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,其特征在于，其包括以下步骤:步骤1:将氟晶云母用酒精，丙酮，水超声洗去表面的污渍,作为衬底备用；步骤2:将装有源粉末α相硒化铟粉末的石英舟放置在管式炉内石英管的中间，之后将放有氟晶云母衬底的石英舟放置在管式炉气流出口距离源粉末α相硒化铟粉末5‑7cm的位置处；步骤3：将石英管抽真空并通入高纯氩气，使气流量和压强分别保持在20±1sccm范围内和46±2Pa范围内，保持半小时步骤4：之后在1h内将石英管加热至730℃，保持石英管内气压在46±2Pa范围内，保温1.5h，之后自然降温至室温即得到带有纳米片的氟晶云母衬底；步骤5：之后将步骤4得到的带有纳米片的氟晶云母衬底，在高纯氩气中经过250℃的1.5h的退火即可。