[发明专利]一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法

权利要求书

1.一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,其特征在于，其包括以下步骤:

步骤1:将氟晶云母用酒精，丙酮，水超声洗去表面的污渍,作为衬底备用；

步骤2:将装有源粉末α相硒化铟粉末的石英舟放置在管式炉内石英管的中间，之后将放有氟晶云母衬底的石英舟放置在管式炉气流出口距离源粉末α相硒化铟粉末5-7cm的位置处；

步骤3：将石英管抽真空并通入高纯氩气，使气流量和压强分别保持在20±1sccm范围内和46±2Pa范围内，保持半小时

步骤4：之后在1h内将石英管加热至730℃，保持石英管内气压在46±2Pa范围内，保温1.5h，之后自然降温至室温即得到带有纳米片的氟晶云母衬底；

步骤5：之后将步骤4得到的带有纳米片的氟晶云母衬底，在高纯氩气中经过250℃的1.5h的退火即可。

2.根据权利要求1所述的一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法，其特征在于，所述步骤1中的源粉末α相硒化铟粉末质量为:3.0-4.0毫克。

3.根据权利要求1所述的一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法，其特征在于，所述步骤1中的氟晶云母的尺寸为1cm*1cm*500um。

4.根据权利要求1所述的一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法，其特征在于，所述γ相硒化铟纳米片材料，由In、Se以化学元素形成的化合物，其中In以+3价的方式存在的；Se以-2价的方式存在的；所述的纳米片材料是单晶的。