[发明专利]基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法及其应用在审
| 申请号： | 201810297274.X | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108511323A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 江灵荣;刘建平;田爱琴;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;吕颖 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法，其包括步骤：S1、将斜切角大于0.2°的大斜切角蓝宝石衬底置于外延生长装置中，在大斜切角蓝宝石衬底上依次叠层生长成核层、非故意掺杂GaN层和第一层n型GaN；S2、向外延生长装置中通入NH3和三甲基镓，控制NH3和三甲基镓的流量之比大于600，同时控制外延生长装置的腔室压力小于400mbar，以在第一层n型GaN上以大于0.5nm/s的速度生长第二层n型GaN，获得大斜切角蓝宝石‑氮化镓复合结构。本发明的方法通过优化生长工艺，实现了在大斜切角蓝宝石衬底上外延生长高质量的GaN，从而可基于此大斜切角蓝宝石‑氮化镓复合结构的模板生长得到高质量的绿光或黄光波段InGaN量子阱。 | ||
| 搜索关键词： | 斜切角 蓝宝石 衬底 氮化镓 外延生长装置 外延生长 生长 复合结构 三甲基镓 第一层 腔室压力 成核层 量子阱 波段 叠层 黄光 绿光 掺杂 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法，其特征在于，包括步骤：S1、将大斜切角蓝宝石衬底置于外延生长装置中，在所述大斜切角蓝宝石衬底上依次叠层生长成核层、非故意掺杂GaN层和第一层n型GaN；其中，所述大斜切角蓝宝石衬底的斜切角大于0.2°；S2、向所述外延生长装置中通入NH3和三甲基镓，控制NH3和三甲基镓的流量之比大于600，同时控制所述外延生长装置的腔室压力小于400mbar，以在所述第一层n型GaN上以大于0.5nm/s的速度生长第二层n型GaN，获得大斜切角蓝宝石‑氮化镓复合结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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