[发明专利]基板液处理装置有效
| 申请号： | 201810292833.8 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695208B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 益富裕之;山下浩司;荒竹英将;田中幸二;土屋孝文;佐藤秀明;石井佑树;稻田尊士 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。 | ||
| 搜索关键词： | 基板液 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板液处理装置，具备：处理槽，其容纳处理液和基板；气体喷嘴，其在所述处理槽内的下部喷出气体；以及气体供给部，其向所述气体喷嘴供给所述气体，其中，所述气体喷嘴具有：管状的主体，其以沿着所述处理槽的底面的方式配置；以及喷出孔，其形成为贯通所述主体的内表面与外表面之间，并且开口面积随着从所述内表面侧朝向所述外表面侧而变小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
