[发明专利]基板液处理装置有效
| 申请号: | 201810292833.8 | 申请日: | 2018-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN108695208B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | 益富裕之;山下浩司;荒竹英将;田中幸二;土屋孝文;佐藤秀明;石井佑树;稻田尊士 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板液 处理 装置 | ||
1.一种基板液处理装置,具备:
处理槽,其容纳处理液和基板;
气体喷嘴,其在所述处理槽内的下部喷出气体;以及
气体供给部,其向所述气体喷嘴供给所述气体,
其中,所述气体喷嘴具有:管状的主体,其以沿着所述处理槽的底面的方式配置;以及喷出孔,其形成为贯通所述主体的内表面与外表面之间,并且开口面积随着从所述内表面侧朝向所述外表面侧而变小。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
还具备气体加热部,所述气体加热部对向所述气体喷嘴供给的所述气体进行加热。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述主体由不含有硅的材料形成。
4.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述喷出孔设置于所述主体的下部。
5.根据权利要求4所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述主体为圆管状,
所述喷出孔设置于从所述主体的管中心的铅垂下方偏离的位置。
6.根据权利要求5所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述喷出孔的位置被设定成包括所述主体的管中心的铅垂的虚拟平面不通过所述喷出孔内。
7.根据权利要求6所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述喷出孔的中心位于绕所述主体的管中心相对于铅垂下方±10°的范围内。
8.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置,其特征在于,
还具备控制部,所述控制部根据开始所述基板向所述处理液的浸渍后的经过时间来变更由所述气体供给部供给的所述气体的供给量。
9.根据权利要求8所述的基板液处理装置,其特征在于,
还具备使所述主体的内压下降的排气部,
所述控制部构成为还执行以下控制:控制所述排气部,使得所述主体的内压下降到能够向所述主体内吸引所述处理液的压力;以及控制所述气体供给部,使得所述主体的内压上升到能够排出所述主体内的所述处理液的压力。
10.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置,其特征在于,
还具备:排气部,其使所述主体的内压下降;
以及控制部,所述控制部构成为执行以下控制:控制所述排气部,使得所述主体的内压下降到能够向所述主体内吸引所述处理液的压力;以及控制所述气体供给部,使得所述主体的内压上升到能够排出所述主体内的所述处理液的压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





