[发明专利]基片处理装置有效
| 申请号： | 201810292181.8 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695207B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 坂田一成 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够维持基片的处理能力并减小基片处理装置的设置面积基片处理装置。本发明的基片处理装置，其包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与上述基片处理部连接的、在大气气氛下运送上述基片的基片运送部；和配置在上述基片处理部与上述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，上述负载锁定部的至少一部分被配置在上述基片运送部的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与所述基片处理部连接的、在大气气氛下运送所述基片的基片运送部；和配置在所述基片处理部与所述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，所述负载锁定部的至少一部分被配置在所述基片运送部的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
