[发明专利]基片处理装置

说明书

本发明提供一种能够维持基片的处理能力并减小基片处理装置的设置面积基片处理装置。本发明的基片处理装置，其包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与上述基片处理部连接的、在大气气氛下运送上述基片的基片运送部；和配置在上述基片处理部与上述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，上述负载锁定部的至少一部分被配置在上述基片运送部的内部。

技术领域

本发明涉及基片处理装置。

背景技术

在对半导体晶片(以下称为“晶片”)进行成膜、蚀刻等的真空处理的基片处理装置中，为了提高晶片的生产性，设置有具备在真空气氛下处理晶片的多个处理室的处理区块。另外，在处理区块连接有在大气气氛下运送基片的运送区块，并且，在处理区块和运送区块之间设置有具有能够在大气气氛和真空气氛切换的多个负载锁定腔室的负载锁定区块。

例如，专利文献1公开了一种半导体处理装置，其包括：具有在真空下工作的多个处理腔室的处理组；向多个处理腔室供给晶片的设备前端区块(EFEM)；和设置在处理组和EFEM之间的2个负载锁定部。

现有技术文献

专利文献

现有技术文献

专利文献1：日本特开2014-68009号公报、图1

发明内容

发明要解决的技术课题

但是，在现有的基片处理装置中，虽然基片的处理能力变高，但因处理区块等的各区块的大型化，存在基片处理装置的设置面积变大的问题(参照图8～图14(B))。

本发明的目的在于提供一种维持基片的处理能力并能够减小基片处理装置的设置面积的基片处理装置。

用于解决技术课题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式中，包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与所述基片处理部连接的、在大气气氛下运送所述基片的基片运送部；和配置在所述基片处理部与所述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，所述负载锁定部的至少一部分被配置在所述基片运送部的内部。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种维持基片的处理能力并且能够减小基片处理装置的设置面积的基片处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的基片处理装置的平面图。

图2是图1的A-A截面图。

图3(A)是示意地表示本实施方式的基片处理装置中的晶片与负载锁定区块的位置关系的平面图，图3(B)是图3(A)的截面图。

图4(A)是示意地表示本实施方式的基片处理装置中的晶片与负载锁定区块的位置关系的平面图，图4(B)是图4(A)的截面图。

图5(A)是示意地表示本实施方式的基片处理装置中的晶片与负载锁定区块的位置关系的平面图，图5(B)是图5(A)的截面图。

图6(A)是示意地表示本实施方式的基片处理装置中的晶片与负载锁定区块的位置关系的平面图，图6(B)是图6(A)的截面图。

图7(A)是示意地表示本实施方式的基片处理装置中的晶片与负载锁定区块的位置关系的平面图，图7(B)是图7(A)的截面图。

图8是表示现有的基片处理装置的平面图。

图9是图8的B-B截面图。

图10(A)是示意地表示现有的基片处理装置中的晶片与负载锁定区块的位置关系的平面图，图10(B)是图10(A)的截面图。