[发明专利]一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的气体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810286912.8 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110320237A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;王超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Ⅲ‑Ⅴ族半导体的气体传感器及其制备方法，该气体传感器及其制备方法利用Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料具有较高的化学稳定性、热稳定性和机械稳定性，通过采用Ⅲ‑Ⅴ族半导体作为基板的材料，使得所述基板能在各种恶劣的环境下稳定地工作。而且还利用Ⅲ‑Ⅴ族半导体的光学性能和电学性能，使得上述气体传感器可采用电化学沉积工艺或光电化学沉积工艺将具有高结晶度的金属氧化物沉积到基板上以形成气敏层，进而提高所述气体传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 气体传感器 半导体 基板 制备 金属氧化物沉积 半导体材料 电化学沉积 化学稳定性 机械稳定性 电学性能 高结晶度 光电化学 光学性能 热稳定性 灵敏度 气敏层 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种基于Ⅲ‑Ⅴ族半导体的气体传感器，其特征在于，包括：基板(1)，所述基板(1)由Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料制成；气敏层(2)，所述气敏层(2)形成在所述基板(1)上；第一电极(3)，所述第一电极(3)连接在所述气敏层(2)上；第二电极(4)，所述第二电极(4)连接在所述基板(1)或气敏层(2)上。
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