[发明专利]一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的气体传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的气体传感器，其特征在于，包括：

基板(1)，所述基板(1)由Ⅲ-Ⅴ族半导体材料制成；

气敏层(2)，所述气敏层(2)形成在所述基板(1)上；

第一电极(3)，所述第一电极(3)连接在所述气敏层(2)上；

第二电极(4)，所述第二电极(4)连接在所述基板(1)或气敏层(2)上。

2.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述基板(1)的表面形成多个孔洞(11)，所述气敏层(2)填充各个所述孔洞(11)。

3.根据权利要求2所述的气体传感器，其特征在于，所述孔洞(11)的开口呈圆形，所述孔洞(11)的开口的孔径为2nm～500μm。

4.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所以气体传感器还包括加热部(5)，所述加热部(5)用于加热所述气敏层(2)。

5.根据权利要求4所述的气体传感器，其特征在于，所述加热部(5)设置于所述基板(1)上与所述气敏层(2)相对的一侧，所述气体传感器还包括支撑层(6)，所述支撑层(6)设置于所述基板(1)和所述加热部(5)之间。

6.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述第一电极(3)包括第一电极垫片(31)和第一导线(32)，所述第一导线(32)通过所述第一电极垫片(31)连接在所述气敏层(2)上；所述第二电极(4)包括第二电极垫片(41)和第二导线(42)，所述第二导线(42)通过所述第二电极垫片(41)连接在所述基板(1)或气敏层(2)上。

7.根据权利要求1-6任一所述的气体传感器，其特征在于，所述气敏层(2)为金属氧化物制成的半导体气敏膜。

8.一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的气体传感器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、提供一个基板(1)，所述基板(1)由Ⅲ-Ⅴ族半导体材料制成；

S2、应用电化学沉积工艺或光电化学沉积工艺在所述基板(1)上沉积气敏层(2)；

S3、在所述气敏层(2)上制作第一电极(3)；

S4、在所述基板(1)或气敏层(2)上制作第二电极(4)。

9.根据权利要求8所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，先对所述基板(1)进行处理，使所述基板(1)的表面形成多个孔洞(11)。

10.根据权利要求8所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述气体传感器的制备方法还包括步骤S5：在所述基板(1)的与所述气敏层(2)相对的一侧上设置加热部(5)。