[发明专利]一种钛镍钴记忆合金膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种钛镍钴记忆合金膜的制备方法，该方法克服了现有的多孔TiNiCo形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷，本发明采用磁控溅射的方法，并采用低温轧制的手段，形成的稀土记忆合膜具有较高的屈服强度，使得膜表面均匀致密、膜基结合强度高、力学性能优良。

主权项

1.一种钛镍钴记忆合金膜的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）配料按以下重量份配制混合粉钛粉   25‑28份；镍粉   42‑45份；钴粉   12‑16份钇粉   0.5‑1.5份将混合粉置于不锈钢球磨罐中，注满无水乙醇后密封，在行星式球磨机上球磨3‑4h，球磨中采用的球料比为10∶1，球磨机的转速为400‑500r/min，之后，将球磨好的混合粉取出并置于滤纸上静置6‑8分钟，得到原料粉；（2）制备记忆合金靶材上述原料粉与去结晶水KCl颗粒均匀混合，去结晶水KCl颗粒的用量为其占混合粉与去结晶水KCl颗粒混合物的体积百分比的65‑75％，将该混合物在混料机中混合45‑50min后装入内壁涂覆硬脂酸锌的不锈钢模具中，单向加压380‑400MPa制得生坯，之后将该生坯装入氧化铝坩埚，并置于管式真空烧结炉中，待炉内真空抽至1‑5Pa后，以5‑10℃/min的速率加热至800‑810℃，保温3‑4h后，再以10‑15℃/分钟的速率加热至960‑980℃，保温3‑4h后随炉冷却至室温，将烧结体从炉内取出，置于超声波水浴中清洗15‑20min后烘干，制得多孔合金靶材；（3）采用上述合金靶材，使用磁控溅射方法，在基体上形成薄膜状的钛镍钴记忆合金膜：抽真空至10‑4Pa以上，充入氮气，然后再抽真空至10‑4Pa，调整工作电压为500V，溅射占空比65‑68%，开始进行溅射沉积，控制厚度为150‑250μm得到薄膜状的钛镍钴记忆合金膜；启动轧机系统，设定上下轧辊的速比为1.2‑1.5 ，设定每次轧制形变量为2‑3%；设定低速辊的速度为0.05‑0.1m/s，开始钛镍钴记忆合金膜的轧制过程；一次轧制过后，重复进行轧制3‑5次，轧制过程中，保持环境温度为‑30至‑20摄氏度；在150‑200摄氏度进行低温热处理1‑2h，得到产品。