[发明专利]一种钛镍钴记忆合金膜的制备方法

权利要求书

1.一种钛镍钴记忆合金膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

（1）配料

按以下重量份配制混合粉

钛粉 25-28份；

镍粉 42-45份；

钴粉 12-16份

钇粉 0.5-1.5份

将混合粉置于不锈钢球磨罐中，注满无水乙醇后密封，在行星式球磨机上球磨3-4h，球磨中采用的球料比为10∶1，球磨机的转速为400-500r/min，之后，将球磨好的混合粉取出并置于滤纸上静置6-8分钟，得到原料粉；

（2）制备记忆合金靶材

上述原料粉与去结晶水KCl颗粒均匀混合，去结晶水KCl颗粒的用量为其占混合粉与去结晶水KCl颗粒混合物的体积百分比的65-75％，将该混合物在混料机中混合45-50min后装入内壁涂覆硬脂酸锌的不锈钢模具中，单向加压380-400MPa制得生坯，之后将该生坯装入氧化铝坩埚，并置于管式真空烧结炉中，待炉内真空抽至1-5Pa后，以5-10℃/min的速率加热至800-810℃，保温3-4h后，再以10-15℃/分钟的速率加热至960-980℃，保温3-4h后随炉冷却至室温，将烧结体从炉内取出，置于超声波水浴中清洗15-20min后烘干，制得多孔合金靶材；

（3）采用上述合金靶材，使用磁控溅射方法，在基体上形成薄膜状的钛镍钴记忆合金膜：

抽真空至10^-4Pa以上，充入氮气，然后再抽真空至10^-4Pa，调整工作电压为500V，溅射占空比65-68%，开始进行溅射沉积，控制厚度为150-250μm得到薄膜状的钛镍钴记忆合金膜；

启动轧机系统，设定上下轧辊的速比为1.2-1.5 ，设定每次轧制形变量为2-3%；设定低速辊的速度为0.05-0.1m/s，开始钛镍钴记忆合金膜的轧制过程；一次轧制过后，重复进行轧制3-5次，轧制过程中，保持环境温度为-30至-20摄氏度；在150-200摄氏度进行低温热处理1-2h，得到产品。