[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201810283367.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108598222B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;蒋晓旭;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，有源层包括交替层叠的多个量子阱和多个量子垒，每个量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层和第三子层均为掺杂硅的氮化镓层，所述二子层为掺杂铝的氮化镓层，第四子层为掺杂铟的氮化镓层。本发明通过在量子垒中采用掺杂硅的氮化镓层，而且掺杂硅的氮化镓层中插入有掺杂铝的氮化镓层，在实现电流扩展电压降低的同时，可以有效避免硅的掺杂浓度太高而降低有源层的晶体质量，最终提升了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述有源层包括交替层叠的多个量子阱和多个量子垒，其特征在于，每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层和所述第三子层均为掺杂硅的氮化镓层，所述第二子层为掺杂铝的氮化镓层，所述第四子层为掺杂铟的氮化镓层。
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