[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述有源层包括交替层叠的多个量子阱和多个量子垒，其特征在于，每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层和所述第三子层均为掺杂硅的氮化镓层，所述第二子层为掺杂铝的氮化镓层，所述第四子层为掺杂铟的氮化镓层；所述第一子层中硅的掺杂浓度大于所述第三子层中硅的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层中硅的掺杂浓度小于所述N型半导体层中N型掺杂剂的掺杂浓度。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡层为P型掺杂的铝镓氮层，所述第二子层中铝的掺杂浓度小于所述电子阻挡层中铝的掺杂浓度。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，每个所述量子阱为铟镓氮层，所述第四子层中铟的掺杂浓度小于所述量子阱中铟的掺杂浓度。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度小于所述第一子层的厚度，且所述第二子层的厚度小于所述第三子层的厚度；所述第四子层的厚度小于所述第一子层的厚度，且所述第四子层的厚度小于所述第三子层的厚度。

6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度与所述第三子层的厚度相等，所述第二子层的厚度与所述第四子层的厚度相等。

7.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层；

其中，所述有源层包括交替层叠的多个量子阱和多个量子垒，每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层和所述第三子层均为掺杂硅的氮化镓层，所述第二子层为掺杂铝的氮化镓层，所述第四子层为掺杂铟的氮化镓层；所述第一子层中硅的掺杂浓度大于所述第三子层中硅的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度、所述第二子层的生长温度、所述第三子层的生长温度、以及所述第四子层的生长温度相等。

9.根据权利要求7或8所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层的生长压力、所述第二子层的生长压力、所述第三子层的生长压力、以及所述第四子层的生长压力相等。