[发明专利]一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法，属于发光二极管技术领域。在发光二极管的芯片的发光性能的测试过程中，通过将芯片倒膜、扩膜中所使用的承载膜更换为由聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯制作的白膜。这种材料的白膜对于芯片的光的透过率较高，反射率较小。避免了当测量设备收集分析倒装芯片的发光数据时，倒装芯片发出的光难以透过蓝膜的情况，保证了测量设备采集到的发光二极管的芯片的光的数据的准确性，提高了发光二极管的芯片的发光性能的测试结果的准确性，同时也能够保证放置在白膜上的多个芯片颗粒的测试结果均较为准确，便于工作人员根据最终获得的同批多个芯片颗粒的测试结果对芯片进行选择与使用。

主权项

1.一种发光二极管的芯片的光电测试方法，其特征在于，所述方法包括：将待测芯片按电极朝下的方式放至裂片保护膜上；对所述裂片保护膜上的待测芯片进行裂片操作，将所述待测芯片划分为多个芯片颗粒；将所述多个芯片颗粒倒膜至一张白膜上，使所述多个芯片颗粒电极朝上放置在所述白膜上，所述白膜的材料包括聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯；去除所述裂片保护膜之后对所述白膜进行扩膜操作；将扩膜后的所述白膜放置在测试探针台上，并通过测试探针向所述白膜上的芯片颗粒通电，使所述芯片颗粒发光；通过测量设备收集并分析所述芯片颗粒的发光数据。