[发明专利]一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法，属于发光二极管技术领域。在发光二极管的芯片的发光性能的测试过程中，通过将芯片倒膜、扩膜中所使用的承载膜更换为由聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯制作的白膜。这种材料的白膜对于芯片的光的透过率较高，反射率较小。避免了当测量设备收集分析倒装芯片的发光数据时，倒装芯片发出的光难以透过蓝膜的情况，保证了测量设备采集到的发光二极管的芯片的光的数据的准确性，提高了发光二极管的芯片的发光性能的测试结果的准确性，同时也能够保证放置在白膜上的多个芯片颗粒的测试结果均较为准确，便于工作人员根据最终获得的同批多个芯片颗粒的测试结果对芯片进行选择与使用。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，英文缩写：LED)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。其中发光二极管的芯片是发光二极管的核心部件，为了保证发光二极管能够正常工作，在发光二极管的芯片制作为发光二极管之前，需要对发光二极管的芯片进行发光性能的测试。

现有的发光二极管的芯片的测试过程包括：将发光二极管的芯片电极朝下放至裂片保护膜上；对裂片保护膜上的芯片进行裂片操作，将芯片划分为多个芯片颗粒；将裂片保护膜上的芯片颗粒倒膜至承载膜上，使芯片颗粒电极朝上放置在承载膜上；通过扩膜机对承载膜进行扩膜操作，使承载膜沿其径向均匀外扩，以使得承载膜上的芯片颗粒之间有足够间距；将承载膜放至测试探针台，通过测试探针台上的测试探针向芯片颗粒通电使芯片颗粒发光；通过积分球对芯片的发光数据进行收集分析。当发光二极管的芯片为正装芯片时，积分球放置在靠近芯片的电极的一侧，当发光二极管的芯片为倒装芯片时，积分球放置在远离芯片的电极的一侧，此时积分球与芯片之间相隔有承载膜。

在传统测试过程中，承载膜通常都是使用的蓝膜，但由于蓝膜对光的反射率更大并且透过率较小，因此当积分球收集分析倒装芯片的发光数据时，会出现倒装芯片发出的光难以透过蓝膜的情况，导致积分球采集到的发光二极管的芯片的光的数据不准，进而影响到发光二极管的芯片的发光性能的测试结果的准确性。

发明内容

为了提高发光二极管的芯片的发光性能的测试结果的准确性，本发明实施例提供了一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管的芯片的光电测试方法，所述方法包括：

将待测芯片按电极朝下的方式放至裂片保护膜上；

对所述裂片保护膜上的待测芯片进行裂片操作，将所述待测芯片划分为多个芯片颗粒；

将所述多个芯片颗粒倒膜至一张白膜上，使所述多个芯片颗粒电极朝上放置在所述白膜上，所述白膜的材料包括聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯；

去除所述裂片保护膜之后对所述白膜进行扩膜操作；

将扩膜后的所述白膜放置在测试探针台上，并通过测试探针向所述白膜上的芯片颗粒通电，使所述芯片颗粒发光；

通过测量设备收集并分析所述芯片颗粒的发光数据。

可选地，所述白膜中的聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯的质量分数比为10：1～15：1。

可选地，所述白膜中的聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯的质量分数比为12.25:1。

可选地，所述白膜的厚度为0.063～0.093mm。

可选地，所述白膜的表面粗糙度为0.15～0.19μm。

可选地，所述扩膜操作中的扩膜倍数为1～1.2。