[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201810273140.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109727954A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王荣德;刘承勋;古进誉;庞德勋;王家桦;蔡佩杏;林柏瑺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括半导体装置、第一密封环、第二密封环及多个半导体穿孔(through semiconductor via，TSV)。半导体装置具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一密封环安置在半导体装置的第一表面上且与第一表面的边缘相邻。第二密封环安置在半导体装置的第二表面上且与第二表面的边缘相邻。半导体穿孔穿过半导体装置且物理连接(physically connect)第一密封环及第二密封环。 | ||
| 搜索关键词： | 密封环 半导体装置 第一表面 第二表面 半导体穿孔 半导体结构 物理连接 安置 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体装置，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一密封环，其安置在所述半导体装置的所述第一表面上且与所述第一表面的边缘相邻；第二密封环，其安置在所述半导体装置的所述第二表面上且与所述第二表面的边缘相邻；以及多个半导体穿孔，其穿过所述半导体装置，其中所述多个半导体穿孔物理连接所述第一密封环及所述第二密封环。
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