[发明专利]半导体结构在审

申请号：	201810273140.4	申请日：	2018-03-29
公开（公告）号：	CN109727954A	公开（公告）日：	2019-05-07
发明（设计）人：	王荣德;刘承勋;古进誉;庞德勋;王家桦;蔡佩杏;林柏瑺	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L23/538	分类号：	H01L23/538;H01L23/31
代理公司：	南京正联知识产权代理有限公司 32243	代理人：	顾伯兴
地址：	中国台湾新竹科***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	密封环半导体装置第一表面第二表面半导体穿孔半导体结构物理连接安置穿过
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【说明书】：

一种半导体结构包括半导体装置、第一密封环、第二密封环及多个半导体穿孔(through semiconductor via，TSV)。半导体装置具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一密封环安置在半导体装置的第一表面上且与第一表面的边缘相邻。第二密封环安置在半导体装置的第二表面上且与第二表面的边缘相邻。半导体穿孔穿过半导体装置且物理连接(physically connect)第一密封环及第二密封环。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体结构。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有半导体穿孔的半导体结构。

背景技术

集成电路用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机及其它电子设备。通常通过以下步骤来制作集成电路：在半导体衬底上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层材料；以及使用光刻技术来图案化各种材料层以在其上形成电路组件及元件。许多集成电路通常在单个半导体晶片(wafer)上制造。可单体化晶片的管芯以在晶片级(waferlevel)进行封装。密封环的形成是后段(back-end of line，BEOL)半导体工艺的重要部分。密封环是围绕集成电路的应力保护结构，用于保护半导体芯片内的内部电路不会受到因来自晶片的管芯的划切而造成的损坏。

发明内容

一种半导体结构包括半导体装置、第一密封环、第二密封环及多个半导体穿孔(through semiconductor via,TSV)。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置在所述半导体装置的所述第一表面上且与所述第一表面的边缘相邻。所述第二密封环安置在所述半导体装置的所述第二表面上且与所述第二表面的边缘相邻。所述半导体穿孔穿过所述半导体装置且物理连接(physically connect)所述第一密封环及所述第二密封环。

附图说明

当结合附图阅读时，会从以下详细描述中最好地理解本公开的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1H是示出根据本公开的一些实施例的半导体结构制造方法中的各个阶段的示意性剖视图。

图2A是图1H中的半导体结构的背侧示意图。

图2B至图2F是示出根据本公开的一些替代性实施例的各种半导体结构的背侧示意图。

图3A是图2C中的半导体结构的示意性剖视图。

图3B是图2E中的半导体结构的示意性剖视图。

图3C是图2F中的半导体结构的示意性剖视图。

图4A至图4D是示出根据本公开的一些实施例的各种半导体穿孔(throughsemiconductor via,TSV)的尺寸及排列的背侧示意性放大图。

附图标号说明

10、20、30、40、50、60：半导体结构；

100：半导体装置；