[发明专利]碳化硅陶瓷及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810268917.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108314455B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱佐祥;向其军;谭毅成 | 申请（专利权）人： | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/575 | 分类号： | C04B35/575 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘霞 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。该碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤：将碳化硅粉与烧结助剂混合得到混合粉体，其中，碳化硅粉的中位粒径为0.5微米～2.0微米，碳化硅粉与所述烧结助剂的质量比为100:0.5～100:5，按照质量百分含量计，烧结助剂包括：10％～20％的氧化铝、10％～20％的碳粉、10％～20％的碳化硼、10％～20％的莫来石、20％～40％的氮化硅及20％～40％的氧化锆；在压力为30MPa～200MPa的条件下，将混合粉体进行热等静压烧结，得到碳化硅陶瓷。上述方法制备得到的碳化硅陶瓷兼具较好的机械性能和较好的耐磨性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将碳化硅粉与烧结助剂混合得到混合粉体，其中，所述碳化硅粉的中位粒径为0.5微米～2.0微米，所述碳化硅粉与所述烧结助剂的质量比为100:0.5～100:5，按照质量百分含量计，所述烧结助剂包括：10％～20％的氧化铝、10％～20％的碳粉、10％～20％的碳化硼、10％～20％的莫来石、20％～40％的氮化硅及20％～40％的氧化锆；及在压力为30MPa～200MPa的条件下，将所述混合粉体进行热等静压烧结，得到碳化硅陶瓷。
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