[发明专利]碳化硅陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将碳化硅粉与烧结助剂混合得到混合粉体，其中，所述碳化硅粉的中位粒径为0.5微米～2.0微米，所述碳化硅粉与所述烧结助剂的质量比为100:0.5～100:5，按照质量百分含量计，所述烧结助剂包括：10％～20％的氧化铝、10％～20％的碳粉、10％～20％的碳化硼、10％～20％的莫来石、20％～40％的氮化硅及20％～40％的氧化锆；及

在压力为30MPa～200MPa的条件下，将所述混合粉体进行热等静压烧结，得到碳化硅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，还包括所述烧结助剂的制备步骤：将所述氧化铝、所述碳粉、所述碳化硼、所述莫来石、所述氮化硅及所述氧化锆混合，并过300目筛～400目筛。

3.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将碳化硅粉与烧结助剂混合的步骤具体为：将所述碳化硅粉、所述烧结助剂、无水有机溶剂和分散剂球磨混合，然后干燥；且所述球磨混合时，所述碳化硅粉与所述烧结助剂的质量之和与磨介的质量的比为0.5～1:1.5～2，所述碳化硅粉与所述烧结助剂的质量之和与所述有机溶剂的质量的比为0.5～1:0.5～1，所述碳化硅粉与所述烧结助剂的质量之和与所述分散剂的质量的比为0.5～1:0.005～0.01。

4.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将所述混合粉体进行热等静压烧结的步骤之前，还包括将所述混合粉体过300目筛～400目筛的步骤。

5.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述在压力为30MPa～200MPa的条件下，将所述混合粉体进行热等静压烧结的步骤具体为：将所述混合粉体加入到金属模具中，然后在压力为30MPa～200MPa的条件下进行所述热等静压烧结。

6.根据权利要求5所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述金属模具选自低碳钢、镍及钼中的一种。

7.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述热等静压烧结的步骤中，加压介质为氩气或氮气。

8.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述氧化铝、所述碳粉、所述碳化硼、所述莫来石、所述氮化硅及所述氧化锆的中位粒径分别为1微米～8微米。

9.权利要求1～8任意一项所述的碳化硅陶瓷的制备方法制备得到的碳化硅陶瓷。

10.权利要求9所述的碳化硅陶瓷在密封圈、衬底、吸盘底座、耐腐蚀泵或热处理器中的应用。