[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201810267216.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108695415B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型半导体层、电子阻挡层和高温P型半导体层，所述低温P型半导体层包括依次层叠的第一单层结构、第二单层结构和超晶格结构，所述第一单层结构为掺杂铝的氮化镓层，所述第二单层结构为没有掺杂铝的氮化镓层，所述超晶格结构包括交替层叠的多个第一子层和多个第二子层，每个所述第一子层为掺杂铝的氮化镓层，每个所述第二子层为没有掺杂铝的氮化镓层。本发明通过第一单层结构阻挡缺陷的延伸，同时阻挡电子泄露，超晶格结构有效阻断低温P型半导体层低温生长带来的缺陷，并进一步阻挡电子泄露。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型半导体层、电子阻挡层和高温P型半导体层，其特征在于，所述低温P型半导体层包括依次层叠的第一单层结构、第二单层结构和超晶格结构，所述第一单层结构为掺杂铝的氮化镓层，所述第二单层结构为没有掺杂铝的氮化镓层，所述超晶格结构包括交替层叠的多个第一子层和多个第二子层，每个所述第一子层为掺杂铝的氮化镓层，每个所述第二子层为没有掺杂铝的氮化镓层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810267216.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
