[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201810267216.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108695415B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型半导体层、电子阻挡层和高温P型半导体层，其特征在于，所述低温P型半导体层包括依次层叠的第一单层结构、第二单层结构和超晶格结构，所述第一单层结构为掺杂铝的氮化镓层，所述第二单层结构为没有掺杂铝的氮化镓层，所述超晶格结构包括交替层叠的多个第一子层和多个第二子层，每个所述第一子层为掺杂铝的氮化镓层，每个所述第二子层为没有掺杂铝的氮化镓层；各个所述第一子层中铝的掺杂浓度小于或等于所述第一单层结构中铝的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡层为P型掺杂的铝镓氮层，所述第一单层结构中铝的掺杂浓度小于所述电子阻挡层中铝的掺杂浓度。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，各个所述第一子层的厚度大于或等于每个所述第二子层的厚度。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述超晶格结构的厚度小于或等于所述第一单层结构的厚度。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的数量与所述第二子层的数量相等，所述第二子层的数量为2个～8个。
6.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型半导体层、电子阻挡层和高温P型半导体层；
其中，所述低温P型半导体层包括依次层叠的第一单层结构、第二单层结构和超晶格结构，所述第一单层结构为掺杂铝的氮化镓层，所述第二单层结构为没有掺杂铝的氮化镓层，所述超晶格结构包括交替层叠的多个第一子层和多个第二子层，每个所述第一子层为掺杂铝的氮化镓层，每个所述第二子层为没有掺杂铝的氮化镓层；各个所述第一子层中铝的掺杂浓度小于或等于所述第一单层结构中铝的掺杂浓度。
7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述第一单层结构的生长温度低于所述第二单层结构的生长温度。
8.根据权利要求6或7所述的生长方法，其特征在于，所述超晶格结构的生长温度与所述第二单层结构的生长温度相等。
9.根据权利要求6或7所述的生长方法，其特征在于，所述第一单层结构的生长速率大于或等于所述第二单层结构的生长速率。
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