[发明专利]一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器有效
| 申请号： | 201810265152.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493581B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈景源;林中晞;林琦;徐玉兰;苏辉;钟杏丽;朱振国;薛正群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q15/08;H01Q19/06;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;谢怡婷 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于太赫兹技术领域，具体涉及一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器。本发明通过将常规太赫兹天线结构的半导体衬底厚度从几百微米减小到几微米，以及把高介电常数的硅透镜替换成低介电常数的透镜，提高了金属天线的输入电阻，提高了匹配效率和方向性。所述太赫兹天线结构可以有效提高两到三倍的输出功率和探测灵敏度。当天线作为辐射源时，提高了输出功率；当天线作为探测器时，提高了探测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 天线 结构 包括 辐射源 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹天线结构，其包括金属天线、半导体衬底薄膜、低介电常数薄膜和透镜；其中，所述半导体衬底薄膜厚度为1～5微米；所述低介电常数薄膜和透镜的介电常数在2～3.5之间。
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