[发明专利]一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器

权利要求书

1.一种太赫兹天线结构，其包括金属天线、半导体衬底薄膜、低介电常数薄膜和透镜；其中，所述半导体衬底薄膜厚度为1~5微米；所述低介电常数薄膜和透镜的介电常数在2~3.5之间；

所述半导体衬底薄膜通过低介电常数薄膜与透镜相连；所述低介电常数薄膜的厚度为200-400微米；

所述透镜由半球形和圆柱形组成的子弹形，所述圆柱形和半球形的半径相等；所述圆柱形和半球形满足如下关系式：

L=AR/n；

其中，所述L为圆柱形的高；所述R为圆柱形和半球形的半径；所述A为系数，取值在0.8~1.2范围内；所述n为透镜的折射率。

2.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述半导体衬底薄膜厚度为2~5微米。

3.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述低介电常数薄膜和透镜的材质为聚酰亚胺或聚四氟乙烯。

4.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述金属天线为偶极天线、蝶形天线或天线阵列。

5.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述金属天线由金属蒸镀在半导体衬底薄膜上，所述金属为黄金、钛铂金、铝的一种或多种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的天线结构，其特征在于，所述半导体衬底薄膜为低温砷化镓、半绝缘砷化镓和InP（磷化铟）的一种或多种。

7.一种辐射源，其包括权利要求1-6中任一项所述的天线结构。

8.一种探测器，其包括权利要求1-6中任一项所述的天线结构。