[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和存储介质有效
| 申请号： | 201810262984.9 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108666239B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 藤原馨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质。防止经由基板处理部处理完毕的基板在被收纳于承载件内之后被该承载件内中包括的异物污染。所述装置具备：台，其用于载置内部收纳有基板的承载件；基板处理部，其用于对所述基板进行处理；基板搬送机构，其用于在载置于所述台的所述承载件与所述基板处理部之间搬送所述基板；承载件加热机构，其将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度；以及气体流出机构，其用于使被所述承载件加热机构加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：台，其用于载置内部收纳有基板的承载件；基板处理部，其用于对所述基板进行处理；基板搬送机构，其用于在被载置于所述台的所述承载件与所述基板处理部之间搬送所述基板；承载件加热机构，其将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度；以及气体流出机构，其用于使被所述承载件加热机构加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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