[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和存储介质

说明书

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质。防止经由基板处理部处理完毕的基板在被收纳于承载件内之后被该承载件内中包括的异物污染。所述装置具备：台，其用于载置内部收纳有基板的承载件；基板处理部，其用于对所述基板进行处理；基板搬送机构，其用于在载置于所述台的所述承载件与所述基板处理部之间搬送所述基板；承载件加热机构，其将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度；以及气体流出机构，其用于使被所述承载件加热机构加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出。

技术领域

本发明涉及一种将基板从承载件搬送到基板处理部中进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及用于基板处理装置的存储介质。

背景技术

在半导体元件的制造工序中，在设置于车间内的各装置间搬送被收纳于称作FOUP(Front-Opening Unified Pod：晶圆传送盒)的承载件中的状态下的基板即半导体晶圆(以下记载为晶圆)。然后，在各装置中由搬送机构从承载件取出的晶圆被搬送到用于对该晶圆进行成膜处理、蚀刻处理等规定的处理的处理部中进行处理。因而，在一个装置中接受了规定的处理的晶圆返回承载件，并被搬送向另一个装置中来接受下一个规定的处理。通常，利用纯水等清洗液对上述的承载件进行清洗，之后吹送规定的温度的干燥后的气体、或利用加热器的辐射热进行加热，由此在干燥后如已述的那样使用上述的承载件。

但是，在晶圆如上述的那样被在装置间搬送并接受处理时，有时装置内的水分和有机物等挥发性有机污染物质(以下记载为污染物质)附着于晶圆。而且，当该晶圆返回承载件内时，该水分和污染物质被吸附于承载件的内壁、构成承载件的垫片的表面、内部。之后，有时附着于晶圆的水分和污染物质通过晶圆被在装置间搬送时接受加热处理等处理而被去除，但在承载件内仍残留有水分和污染物质。

而且，由于承载件的周围的环境的变化，水分和污染物质从所吸附的承载件的各部以气体形式排出，在承载件内的晶圆表面发生作用，成为有机物的污染物质溶解于水分的状态，由此产生微小的微粒。也就是说，晶圆被像这样由水和污染物质产生的微粒污染，有半导体元件的生产率下降的风险。在专利文献1中记载了一种对设置有用于载置承载件的储存部的区域进行吹扫的技术，但没有示出解决上述的问题的方法。

专利文献1：日本特开2016-21429号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够防止经由基板处理部处理完毕的基板在被收纳于承载件内之后被该承载件内包括的异物污染的技术。

用于解决问题的方案

本发明的基板处理装置的特征在于，具备：台，其用于载置内部收纳有基板的承载件；基板处理部，其用于对所述基板进行处理；基板搬送机构，其用于在被载置于所述台的所述承载件与所述基板处理部之间搬送所述基板；承载件加热机构，其将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度；以及气体流出机构，其用于使被所述承载件加热机构加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出。

本发明的基板处理方法的特征在于，具备：将在其内部收纳有基板的承载件载置于台的工序；由基板搬送机构将所述基板从所述承载件向用于对该基板进行处理的基板处理部搬出的搬出工序；由所述基板搬送机构将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入所述承载件的搬入工序；在所述搬出工序之后，在进行所述搬入工序之前，将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度的承载件加热工序；以及使通过所述承载件加热工序被加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出的工序。