[发明专利]CMOS图形传感器的隔离结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810262371.5 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108461514A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 魏代龙 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS图像传感器的隔离结构及其形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括逻辑区域，用于形成CMOS图形传感器的逻辑电路；在所述半导体衬底的逻辑区域内形成绝缘埋层；刻蚀所述半导体衬底的逻辑区域，在所述逻辑区域内形成第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽位于所述绝缘埋层的上方。采用上述方法形成隔离结构可以提高CMOS图形传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 逻辑区域 衬底 图形传感器 半导体 隔离结构 隔离沟槽 绝缘埋层 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图形传感器的隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括逻辑区域，用于形成CMOS图形传感器的逻辑电路；在所述半导体衬底的逻辑区域内形成绝缘埋层；刻蚀所述半导体衬底的逻辑区域，在所述逻辑区域内形成第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽位于所述绝缘埋层的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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