[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和应用有效
| 申请号： | 201810259474.6 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108461548B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和显示装置。该薄膜晶体管包括：衬底；部分透光层，设置在衬底的一侧；第一栅电极，设置在部分透光层远离衬底一侧；第二栅绝缘层，设置在第一栅电极远离衬底的一侧；有源层，设置在第二栅绝缘层远离衬底的一侧，且部分透光层在衬底上的正投影覆盖有源层在衬底上的正投影。本发明所提出的薄膜晶体管，其衬底与栅电极之间增设的部分透光层，可有效地提高薄膜晶体管的光照稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；部分透光层，所述部分透光层设置在所述衬底的一侧；第一栅电极，所述第一栅电极设置在所述部分透光层远离所述衬底的一侧；第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层设置在所述第一栅电极远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。
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