[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和应用

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

部分透光层，所述部分透光层设置在所述衬底的一侧，且所述部分透光层是不导电的，所述部分透光层在所述衬底上的正投影面积小于所述衬底的面积；

第一栅电极，所述第一栅电极设置在所述部分透光层远离所述衬底的一侧；

第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层设置在所述第一栅电极远离所述衬底的一侧；

有源层，所述有源层设置在所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；

第二栅电极，所述第二栅电极设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；

第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设置在所述第二栅电极与所述有源层之间；

所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一栅电极在所述衬底上的正投影重合；其中，所述第一栅电极为不透光的，所述衬底、所述第二栅绝缘层和所述有源层都为透光的；

所述第二栅电极和所述第一栅绝缘层在所述衬底上的正投影都与所述第一栅电极在所述衬底上的正投影重合；而且，所述第一栅绝缘层和所述第二栅电极都为透光的。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层由氧化物半导体材料形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一栅电极在所述衬底上的正投影。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述部分透光层由绝缘材料形成的。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括：

导电层，所述导电层与所述有源层同层设置，且设置在所述有源层相对的两侧，并且，所述导电层的材料是所述有源层的材料通过导体化处理获得的，而且所述导电层和所述有源层在所述衬底上的正投影之和与所述部分透光层在所述衬底上的正投影重合。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述部分透光层由非晶硅形成。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，形成所述第二栅电极的材料包括选自氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌、氧化铟锌和4,4’-偶氮-1H-1,2,4-三唑-5-酮铵盐中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，形成所述有源层的材料包括氧化铟镓锌。

9.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在衬底的一侧依次形成部分透光层和第一栅电极，所述部分透光层在所述衬底上的正投影面积小于所述衬底的面积；

在所述第一栅电极远离所述衬底的一侧依次形成第二栅绝缘层和有源层，且所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；

在所述有源层远离所述衬底的一侧依次形成第一栅绝缘层和第二栅电极；

所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一栅电极在所述衬底上的正投影重合；所述第一栅电极为不透光的，所述衬底、所述第二栅绝缘层和所述有源层都为透光的；

所述第二栅电极和所述第一栅绝缘层在所述衬底上的正投影都与所述第一栅电极在所述衬底上的正投影重合；而且，所述第一栅绝缘层和所述第二栅电极都为透光的。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一栅电极在所述衬底上的正投影。