[发明专利]灵敏放大器电路有效

专利信息
申请号: 201810251692.5 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN108389597B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 刘芳芳;邵博闻 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种灵敏放大器电路,由四个PMOS晶体管、八个NMOS晶体管、两个电容,两个电阻、两个压控电流源和一个RS触发器RS组成。本发明能够有效降低锁存数据出错的风险。
搜索关键词: 灵敏 放大器 电路
【主权项】:
1.一种灵敏放大器电路,其特征在于:由四个PMOS晶体管、八个NMOS晶体管、两个电容,两个电阻、两个压控电流源和一个RS触发器组成;第一PMOS晶体管~第四PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接,第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点记为VE;第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接,第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地GND;第一NMOS晶体管的栅极输入钳位电压Vlim;第四PMOS晶体管的栅极和漏极与第三PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的漏极相连接,第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接,第二压控电流源的负端和第二电容的另一端接地GND,第二NMOS晶体管的栅极输入钳位电压Vlim;第二PMOS晶体管的漏极与第七NMOS晶体管的漏极、第三NMOS晶体管的漏极和第一电阻的一端相连接,其连接的节点记为VD0;第三PMOS晶体管的漏极与第八NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极和第二电阻的一端相连接,其连接的节点记为VD1;第七NMOS晶体管的源极与第一电阻的另一端、第五NMOS晶体管的漏极、第四NMOS晶体管的栅极相连接,第五NMOS晶体管的源极与第八NMOS晶体管的漏极、第二电阻的另一端、第三NMOS晶体管的栅极相连接;第七NMOS晶体管的栅极和第八NMOS晶体管的栅极输入反准备信号PREB,第五NMOS晶体管的栅极输入准备信号PRE;第三NMOS晶体管的的源极与第四NMOS晶体管的源极、第六NMOS晶体管的漏极相连接,第六NMOS晶体管的源极接地,第六NMOS晶体管的栅极输入读信号READ;节点VD0与RS触发器的R输入端相连接,节点VD1与RS触发器的S输入端相连接,RS触发器的输出端SOUT作为电路的输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810251692.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top