[发明专利]灵敏放大器电路有效
申请号: | 201810251692.5 | 申请日: | 2018-03-26 |
公开(公告)号: | CN108389597B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 刘芳芳;邵博闻 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种灵敏放大器电路,由四个PMOS晶体管、八个NMOS晶体管、两个电容,两个电阻、两个压控电流源和一个RS触发器RS组成。本发明能够有效降低锁存数据出错的风险。 | ||
搜索关键词: | 灵敏 放大器 电路 | ||
【主权项】:
1.一种灵敏放大器电路,其特征在于:由四个PMOS晶体管、八个NMOS晶体管、两个电容,两个电阻、两个压控电流源和一个RS触发器组成;第一PMOS晶体管~第四PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接,第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点记为VE;第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接,第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地GND;第一NMOS晶体管的栅极输入钳位电压Vlim;第四PMOS晶体管的栅极和漏极与第三PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的漏极相连接,第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接,第二压控电流源的负端和第二电容的另一端接地GND,第二NMOS晶体管的栅极输入钳位电压Vlim;第二PMOS晶体管的漏极与第七NMOS晶体管的漏极、第三NMOS晶体管的漏极和第一电阻的一端相连接,其连接的节点记为VD0;第三PMOS晶体管的漏极与第八NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极和第二电阻的一端相连接,其连接的节点记为VD1;第七NMOS晶体管的源极与第一电阻的另一端、第五NMOS晶体管的漏极、第四NMOS晶体管的栅极相连接,第五NMOS晶体管的源极与第八NMOS晶体管的漏极、第二电阻的另一端、第三NMOS晶体管的栅极相连接;第七NMOS晶体管的栅极和第八NMOS晶体管的栅极输入反准备信号PREB,第五NMOS晶体管的栅极输入准备信号PRE;第三NMOS晶体管的的源极与第四NMOS晶体管的源极、第六NMOS晶体管的漏极相连接,第六NMOS晶体管的源极接地,第六NMOS晶体管的栅极输入读信号READ;节点VD0与RS触发器的R输入端相连接,节点VD1与RS触发器的S输入端相连接,RS触发器的输出端SOUT作为电路的输出端。
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