[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一三维存储器及其制造方法，包括在衬底上形成硬掩模层并图形化；利用硬掩模图形，在衬底上形成半导体凸台；在半导体凸台顶部形成掺杂区；在硬掩模图形和半导体凸台上形成介质层堆叠；刻蚀介质层堆叠，形成暴露半导体凸台的垂直沟道孔。依照本发明的三维存储器制造方法，利用硬掩模图形先在衬底上形成掺杂凸台之后再形成介质层堆叠中的沟道孔，提高沟道孔底部凸台的成膜质量、高度和掺杂浓度的均匀性，减少垂直沟道区生长缺陷，提高器件的可靠性。

主权项

1.一种三维存储器制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成图形化的硬掩模层，所述图形化的硬掩模层具有露出衬底的第一垂直沟道孔，所述第一垂直沟道孔内形成有半导体凸台；在所述半导体凸台顶部形成掺杂区；在所述图形化的硬掩模层和所述半导体凸台上形成介质层叠层结构；刻蚀所述介质层叠层结构，形成暴露所述半导体凸台的第二垂直沟道孔。